Datasheet > SUM60N08-07C-E3

SUM60N08-07C-E3

更新时间： 2025-07-24 19:56:23

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
6页	108K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SUM60N08-07C-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	60 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	Base Number Matches：	1

SUM60N08-07C-E3 数据手册

SUM60N08-07C

Vishay Siliconix

N-Channel 75-V (D-S) MOSFET with Sense Terminal

FEATURES

•

PRODUCT SUMMARY

TrenchFET^®Power MOSFET Plus

Current Sense

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)(Ω)

I_D(A)

Available

60^a

0.007 at V_GS= 10 V

RoHS*

•

Low Thermal Resistance Package

COMPLIANT

APPLICATIONS

Industrial

D PAK-5

•

D (Tab, 3)

1 2 3 4 5

(1)

(4)

(2)

KELVIN

SENSE

KELVIN

SENSE

S (5)

Ordering Information: SUM60N08-07C

SUM60N08-07C-E3 (Lead (Pb)-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

60^a

T_C= 25 °C

Continuous Drain Current (T_J= 175 °C)^d

I_D

T_C= 100 °C

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

240

Continuous Diode Current (Diode Conduction)^d

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy^b

60^a

I_AR

E_AR

L = 0.1 mH

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

180

300^c

3.75^d

Maximum Power Dissipation^a

P_D

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 175

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Junction-to-Ambient^d

Symbol

Limit

Unit

PCB Mount^d

R_thJA

°C/W

R_thJC

Junction-to-Case

0.5

Notes:

a. Package limited.

b. Duty cycle ≤ 1 %.

c. See SOA curve for voltage derating.

d. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.

Document Number: 71834

S-80273-Rev. D, 11-Feb-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与SUM60N08-07C-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SUM60N08-07T	VISHAY	获取价格	MOSFET SPECIFICATIONS (TJ = 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
SUM60N10-17	VISHAY	获取价格	N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET
SUM60N10-17	VBSEMI	获取价格
SUM60N10-17-E3	VISHAY	获取价格	Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) TO-263
SUM60N10-17_08	VISHAY	获取价格	N-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET
SUM60P05-11LT	VISHAY	获取价格	P-Channel 55-V (D-S) MOSFET with Sensing Diode
SUM60UF	SSDI	获取价格	400 mA 6,000 thru 9,000 VOLTS 60 ns ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER
SUM60UFS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
SUM60UFSMS	SSDI	获取价格	400 mA 6,000 thru 9,000 VOLTS 60 ns ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER
SUM60UFSMSTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2