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SUM70060E-GE3

更新时间： 2024-11-30 15:53:11

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	196K
描述
Power Field-Effect Transistor, 131A I(D), 100V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-263, 3/2 PIN

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SUM70060E-GE3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	5.69	雪崩能效等级（Eas）：	125 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	131 A	最大漏源导通电阻：	0.0062 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SUM70060E-GE3 数据手册

SUM70060E

Vishay Siliconix

www.vishay.com

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

FEATURES

• ThunderFET^®power MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

R_DS(on)() MAX.

I_D(A)

131

Q_g(TYP.)

• Maximum 175 °C junction temperature

• 100 % R_gand UIS tested

0.0056 at V_GS= 10 V

0.0062 at V_GS= 7.5 V

100

53.5 nC

129

• Material categorization:

for definitions of compliance please see

TO-263

www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

• Power supplies:

- Uninterruptible power supplies

- AC/DC switch-mode power supplies

- Lighting

• Synchronous rectification

• DC/DC converter

Top View

• Motor drive switch

• DC/AC inverter

Ordering Information:

SUM70060E-GE3 (lead (Pb)-free and halogen-free)

N-Channel MOSFET

• Battery management

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

100

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

131

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

T_C= 125 °C

Pulsed Drain Current (t = 100 μs)

Avalanche Current

I_DM

I_AS

240

L = 0.1 mH

Single Avalanche Energy ^a

E_AS

125

T_C= 25 °C

375 ^b

125 ^b

-55 to +175

Maximum Power Dissipation ^a

P_D

T_C= 125 °C

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

R_thJA

LIMIT

UNIT

Junction-to-Ambient (PCB Mount) ^c

°C/W

Junction-to-Case (Drain)

R_thJC

0.75

Notes

a. Duty cycle  1 %.

b. See SOA curve for voltage derating.

c. When mounted on 1" square PCB (FR4 material).

S16-0244-Rev. A, 15-Feb-16

Document Number: 65383

For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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与SUM70060E-GE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SUM70090E	VISHAY	获取价格	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
SUM70090E-GE3	VISHAY	获取价格	MOSFET N-CH 100V 50A D2PK TO263
SUM70101EL	VISHAY	获取价格	P-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET
SUM70F	SSDI	获取价格	500 mA 6,000 thru 9,000 VOLTS 180 ns FAST RECOVERY RECTIFIER
SUM70FS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, AXIAL, 2 PIN
SUM70FSMS	SSDI	获取价格	500 mA 6,000 thru 9,000 VOLTS 180 ns FAST RECOVERY RECTIFIER
SUM70FSMSS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, SMS, 2 PIN
SUM70FSMSTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, SMS, 2 PIN
SUM70FSMSTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, SMS, 2 PIN
SUM70FTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, AXIAL, 2 PIN

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