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SUM60P05-11LT

更新时间： 2024-02-09 14:51:09

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威世 - VISHAY		二极管
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5页	49K
描述
P-Channel 55-V (D-S) MOSFET with Sensing Diode

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SUM60P05-11LT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	60 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SUM60P05-11LT 数据手册

SUM60P05-11LT

Vishay Siliconix

P-Channel 55-V (D-S) MOSFET with Sensing Diode

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFETS Plus

Temperature Sensing Diode

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D 175_C Junction Temperature

0.011 @ V = –10 V

–60

D New Low Thermal Resistance Package

APPLICATIONS

–55

0.0175 @ V = –4.5 V

–60

D Automotive

D Industrial

D PAK-5L

1 2 3 4 5

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

–55

"20

= 25_C

= 100_C

–60

Continuous Drain Current (T = 175_C)

–60

Pulsed Drain Current

–250

Continous Diode Current (Diode Conduction)

–60

Avalanche Current

–60

Repetitive Avalanche Energy

L = 0.1 mH

180

= 25_C

200

Maximum Power Dissipation

3.75

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Junction-to-Ambient

PCB Mount

thJA

thJC

C/W

Junction-to-Case

0.75

Notes

a. Package limited.

b. Duty cycle v 1%.

c. See SOA curve for voltage derating.

d. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).

Document Number: 71748

S-05060—Rev. A, 12-Nov-01

www.vishay.com

12 3 4 5

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