生命周期: | Active | 包装说明: | E-LELF-R2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
风险等级: | 5.66 | 其他特性: | METALLURGICALLY BONDED |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | E-LELF-R2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 0.4 A |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ELLIPTICAL |
封装形式: | LONG FORM | 认证状态: | Not Qualified |
最大反向恢复时间: | 0.07 µs | 表面贴装: | YES |
端子形式: | WRAP AROUND | 端子位置: | END |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SUM60UFTX | SSDI |
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暂无描述 | |
SUM65N20-30 | VISHAY |
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N-Channel 200-V (D-S) 175C MOSFET | |
SUM65N20-30_08 | VISHAY |
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N-Channel 200-V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SUM65N20-30-E3 | VISHAY |
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N-Channel 200-V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SUM6K1N | SECOS |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
SUM6K1N_15 | SECOS |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
SUM70030E | VISHAY |
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N-Channel 100 V (D-S) MOSFET | |
SUM70030M | VISHAY |
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N-Channel 100 V (D-S) MOSFET | |
SUM70040E-GE3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
SUM70040M | VISHAY |
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N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |