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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SUM65N20-30-E3
SUM65N20-30-E3 PDF预览

SUM65N20-30-E3

更新时间： 2024-02-15 04:07:46
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 114K
描述
N-Channel 200-V (D-S) 175 °C MOSFET

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SUM65N20-30-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：0.97
雪崩能效等级（Eas）：61 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：65 A
最大漏极电流 (ID)：65 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：375 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SUM65N20-30-E3 数据手册

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SUM65N20-30  
Vishay Siliconix  
N-Channel 200-V (D-S) 175 °C MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
175 °C Junction Temperature  
V(BR)DSS (V)  
rDS(on) (Ω)  
ID (A)  
65a  
RoHS  
0.030 at VGS = 10 V  
200  
COMPLIANT  
Low Thermal Resistance Package  
100 % Rg Tested  
APPLICATIONS  
•
Isolated DC/DC Converters  
D
TO-263  
G
G
D S  
Top View  
S
Ordering Information: SUM65N20-30-E3 (Lead (Pb)-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
C
Parameter  
Symbol  
Limit  
200  
20  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
65a  
TC = 25 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 175 °C)  
ID  
37a  
140  
35  
TC = 125 °C  
A
IDM  
IAS  
Pulsed Drain Current  
Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energyb  
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
EAS  
61  
mJ  
W
375c  
3.75  
Maximum Power Dissipationb  
PD  
T
A = 25 °Cd  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 175  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Limit  
40  
Unit  
PCB Mount (TO-263)d  
RthJA  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
RthJC  
Junction-to-Case (Drain)  
0.4  
Notes:  
a. Package limited.  
b. Duty cycle ≤ 1 %.  
c. See SOA curve for voltage derating.  
d. When Mounted on 1" square PCB (FR-4 material).  
Document Number: 71702  
S-80272-Rev. D, 11-Feb-08  
www.vishay.com  
1
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SUM65N20-30-E3 替代型号

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