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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 |
| 针数： | 5 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.45 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.013 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 83 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SUM50N06-16L | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET, Logic Level |
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| SUM50N06-16L-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 50 A, 60 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, |
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| SUM50UF | SSDI |
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0.4 AMPS 2000 - 5000 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECTIFIER |
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| SUM50UFS | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 5000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
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| SUM50UFSMS | SSDI |
获取价格 |
0.4 AMPS 2000 - 5000 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECTIFIER |
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| SUM50UFSMSS | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 5000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, SMS, 2 PIN |
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| SUM50UFSMSTX | SSDI |
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暂无描述 |
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| SUM50UFSMSTXV | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 5000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, SMS, 2 PIN |
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| SUM50UFTXV | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 5000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
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| SUM52N20-39P | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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