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SUM47N10-24L-E3

更新时间： 2024-01-13 19:52:49

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威世 - VISHAY		/
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4页	66K
描述
N-Channel 100-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET

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SUM47N10-24L-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	47 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	136 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	Base Number Matches：	1

SUM47N10-24L-E3 数据手册

SUM47N10-24L

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 100-V (D-S) 175_C MOSFET

FEATURES

D TrenchFETr Power MOSFET

PRODUCT SUMMARY

D 175_C Maximum Junction Temperature

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D 100% R_gTested

APPLICATIONS

0.024 @ V = 10 V

100

0.027 @ V = 4.5 V

D Automotive Such As:

− HID Lamp

− Ignition Systems

− Injection Systems

TO-263

D S

Top View

Ordering Information: SUM47N10-24L—E3

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

100

"20

= 25_C

= 125_C

Continuous Drain Current (T = 175_C)

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

Single Pulse Avalanche Current

Single Pulse Avalanche Energy (Duty Cycle v 1%)

L = 0.1 mH

= 25_C

136

Maximum Power Dissipation

3.75

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Maximum

Unit

PCB Mount

Free Air

62.5

1.1

Junction-to-Ambient

Junction-to-Case

thJA

thJC

_C/W

Notes

a. Surface Mounted on 1” x1” FR4 Board.

b. See SOA curve for voltage derating.

Document Number: 72827

S-40434—Rev. A, 15-Mar-04

www.vishay.com

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与SUM47N10-24L-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SUM50010E	VISHAY	获取价格	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
SUM50020E	VISHAY	获取价格	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
SUM50020EL	VISHAY	获取价格	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
SUM50020EL-GE3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
SUM50F	SSDI	获取价格	0.5 AMPS 2000 - 5000 VOLTS 180 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER
SUM50FSMSS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
SUM50FSMSTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
SUM50FSMSTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
SUM50FTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
SUM50FTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2