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SUD19N20-90-T4-E3

更新时间： 2024-11-23 12:27:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 166K
描述
N-Channel 200 V (D-S) 175 °C MOSFET

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SUD19N20-90-T4-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：18 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：19 A
最大漏源导通电阻：0.105 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SUD19N20-90-T4-E3 数据手册

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SUD19N20-90  
Vishay Siliconix  
N-Channel 200 V (D-S) 175 °C MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
175 °C Junction Temperature  
PWM Optimized  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
ID (A)  
19  
0.090 at VGS = 10 V  
0.105 at VGS = 6 V  
200  
17.5  
100 % Rg Tested  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
•
Primary Side Switch  
TO-252  
D
Drain Connected to Tab  
G
G
D
S
Top View  
S
Ordering Information:  
SUD19N20-90-E3 (Lead (Pb)-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
200  
20  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
TC = 25 °C  
19  
Continuous Drain Current (TJ = 175 °C)b  
ID  
TC = 125 °C  
11  
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
40  
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
Avalanche Current  
19  
IAS  
EAS  
19  
Single Pulse Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
18  
mJ  
W
136b  
3a  
TC = 25 °C  
PD  
Maximum Power Dissipation  
TA = 25 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 175  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
Typical  
15  
Maximum  
Unit  
t 10 s  
18  
50  
Junction-to-Ambienta  
Steady State  
40  
°C/W  
RthJC  
Junction-to-Case (Drain)  
0.85  
1.1  
Notes:  
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. See SOA curve for voltage derating.  
Document Number: 71767  
S10-2245-Rev. E, 04-Oct-10  
www.vishay.com  
1
1234567

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