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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.4 | 雪崩能效等级（Eas）： | 20 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 23 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 23 A | 最大漏源导通电阻： | 0.031 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 50 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SUD23N06-31L-T4-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SUD23N06-31-T4-GE3 | VISHAY |
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MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252 |
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| SUD25N04-25 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET |
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| SUD25N04-25-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SUD25N06-45L | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET, Logic Level |
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| SUD25N06-45L | FREESCALE |
获取价格 |
N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SUD25N06-45L-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SUD25N15 | FREESCALE |
获取价格 |
N-Channel 150 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SUD25N15-52 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 150-V (D-S) 175C MOSFET |
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| SUD25N15-52_06 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 150-V (D-S) 175Celsius MOSFET |
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