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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 12 weeks | 风险等级： | 5.72 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 11.25 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 16.9 A | 最大漏源导通电阻： | 0.066 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 25 A |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SUD23N06 | FREESCALE |
获取价格 |
N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SUD23N06-31 | FREESCALE |
获取价格 |
N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SUD23N06-31 | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S), MOSFET |
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| SUD23N06-31 | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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| SUD23N06-31_08 | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S), MOSFET |
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| SUD23N06-31_11 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60 V (D-S), MOSFET |
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| SUD23N06-31-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S), MOSFET |
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| SUD23N06-31L | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET, Logic Level |
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| SUD23N06-31L-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 23 A, 60 V, 0.031 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT PAC |
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| SUD23N06-31L-T4-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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