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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 1.36 | 雪崩能效等级（Eas）： | 24.2 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 18.3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 18.3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 38.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SUD19P06-60L | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SUD19P06-60L |
获取价格 |
P-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET |
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| SUD19P06-60L-T4-E3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| SUD20N06-120L | VISHAY |
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TRANSISTOR 15 A, 60 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, FET General Purpos |
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| SUD20N10-66L | VISHAY |
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N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
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| SUD20N10-66L-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16.9A I(D), 100V, 0.066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| SUD23N06 | FREESCALE |
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N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SUD23N06-31 | FREESCALE |
获取价格 |
N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SUD23N06-31 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S), MOSFET |
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| SUD23N06-31 | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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