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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 15 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.065 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SUD20N10-66L | VISHAY |
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N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
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| SUD20N10-66L-GE3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 16.9A I(D), 100V, 0.066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| SUD23N06 | FREESCALE |
获取价格 |
N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SUD23N06-31 | FREESCALE |
获取价格 |
N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SUD23N06-31 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S), MOSFET |
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| SUD23N06-31 | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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| SUD23N06-31_08 | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S), MOSFET |
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| SUD23N06-31_11 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60 V (D-S), MOSFET |
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| SUD23N06-31-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S), MOSFET |
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| SUD23N06-31L | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET, Logic Level |
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