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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SUD30N04-10
SUD30N04-10 PDF预览

SUD30N04-10

更新时间： 2024-11-22 22:17:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 67K
描述
N-Channel 40-V (D-S), 175C MOSFET

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SUD30N04-10 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.91Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e0
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：97 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

SUD30N04-10 数据手册

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SUD30N04-10  
Vishay Siliconix  
N-Channel 40-V (D-S), 175_C MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
V(BR)DSS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D 175_C Maximum Junction Temperature  
D 100% Rg Tested  
a
0.010 @ V = 10 V  
30  
GS  
40  
a
0.014 @ V = 4.5 V  
GS  
30  
D
TO-252  
G
Drain Connected to Tab  
G
D
S
Top View  
S
Order Number:  
SUD30N04-10  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
40  
DS  
V
V
GS  
ꢀ
2
0
a
T
= 25_C  
30  
C
Continuous Drain Current (T = 175_C)  
I
J
D
a
T
= 100_C  
30  
C
A
Pulsed Drain Current  
Avalanche Current  
I
120  
50  
DM  
I
AR  
b
Repetitive Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
E
125  
mJ  
W
AR  
c
Power Dissipation  
T
= 25_C  
P
97  
C
D
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
-55 to 175  
_C  
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
d
PCB Mount  
45  
110  
1.5  
55  
125  
1.8  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Case  
R
thJA  
R
thJC  
Free Air  
_C/W  
Notes:  
a. Package limited.  
b. Duty cycle ꢁ 1%.  
c. See SOA curve for voltage derating.  
d. Surface mounted on 1” FR4 board.  
Document Number: 70782  
S-31724—Rev. D, 18-Aug-03  
www.vishay.com  
1
 
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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