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SUD40N08-16

更新时间： 2024-11-26 06:14:55

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威世 - VISHAY		/
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5页	89K
描述
N-Channel 80-V (D-S) 175C MOSFET

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SUD40N08-16 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	136 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)

SUD40N08-16 数据手册

SUD40N08-16

Vishay Siliconix

N-Channel 80-V (D-S) 175_C MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

D 175_C Maximum Junction Temperature

D 100% R_gTested

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.016 @ V = 10 V

TO-252

Drain Connected to Tab

Top View

Ordering Information:

SUD40N08-16

SUD40N08-16—E3 (Lead Free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 125_C

Continuous Drain Current (T = 175_C)

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy (Duty Cycle v 1%)

L = 0.1 mH

= 25_C

136

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Junction-to-Ambient

thJA

thJC

Steady State

_C/W

Junction-to-Case

0.85

1.1

Notes

a. Surface Mounted on 1” x1” FR4 Board.

b. See SOA curve for voltage derating.

Document Number: 71323

S-40272—Rev. C, 23-Feb-04

www.vishay.com

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SUD40N08-16 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SUD40N08-16-E3	VISHAY	功能相似	N-Channel 80-V (D-S) 175C MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SUD40N08-16-E3	VISHAY	获取价格	N-Channel 80-V (D-S) 175C MOSFET
SUD40N08-16-T4	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SUD40N08-16-T4-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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