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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SUD40N08-16-E3
SUD40N08-16-E3 PDF预览

SUD40N08-16-E3

更新时间： 2024-11-25 06:14:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
5页 89K
描述
N-Channel 80-V (D-S) 175C MOSFET

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SUD40N08-16-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.1Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A
最大漏极电流 (ID)：40 A最大漏源导通电阻：0.016 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：136 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：20晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SUD40N08-16-E3 数据手册

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SUD40N08-16  
Vishay Siliconix  
N-Channel 80-V (D-S) 175_C MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
D 175_C Maximum Junction Temperature  
D 100% Rg Tested  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
80  
0.016 @ V = 10 V  
GS  
40  
D
TO-252  
G
Drain Connected to Tab  
G
D
S
Top View  
Ordering Information:  
S
SUD40N08-16  
SUD40N08-16—E3 (Lead Free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
80  
"20  
40  
DS  
GS  
V
V
T
= 25_C  
= 125_C  
C
b
Continuous Drain Current (T = 175_C)  
I
D
J
T
30  
C
Pulsed Drain Current  
I
60  
A
DM  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
Avalanche Current  
I
40  
S
I
40  
AR  
Repetitive Avalanche Energy (Duty Cycle v 1%)  
L = 0.1 mH  
E
AR  
80  
mJ  
b
T
= 25_C  
= 25_C  
136  
C
Maximum Power Dissipation  
P
D
W
a
3
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 175  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
15  
40  
18  
50  
a
Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJC  
Steady State  
_C/W  
Junction-to-Case  
0.85  
1.1  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x1” FR4 Board.  
b. See SOA curve for voltage derating.  
Document Number: 71323  
S-40272—Rev. C, 23-Feb-04  
www.vishay.com  
1
12345

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SUD40N08-16-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BUK9226-75A,118 NXP

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