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BUK9226-75A,118 PDF预览

BUK9226-75A,118

更新时间： 2024-11-21 21:10:51
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 196K
描述
N-channel TrenchMOS logic level FET DPAK 3-Pin

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BUK9226-75A,118 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：DPAK包装说明：PLASTIC, TO-252, SC-63, DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.17雪崩能效等级（Eas）：120 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：75 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：45 A
最大漏极电流 (ID)：45 A最大漏源导通电阻：0.029 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：114 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：182 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BUK9226-75A,118 数据手册

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BUK9226-75A  
AK  
DP  
N-channel TrenchMOS logic level FET  
Rev. 02 — 27 January 2011  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic  
package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to  
the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.  
1.2 Features and benefits  
„ AEC Q101 compliant  
„ Suitable for logic level gate drive  
sources  
„ Low conduction losses due to low  
on-state resistance  
„ Suitable for thermally demanding  
environments due to 175 °C rating  
1.3 Applications  
„ 12 V, 24 V and 42 V loads  
„ Motors, lamps and solenoids  
„ Automotive and general purpose  
power switching  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference data  
Symbol Parameter  
Conditions  
Min Typ Max Unit  
VDS  
ID  
drain-source voltage  
drain current  
Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C  
-
-
-
-
75  
45  
V
A
VGS = 5 V; Tmb = 25 °C;  
see Figure 1; see Figure 3  
Ptot  
total power dissipation Tmb = 25 °C; see Figure 2  
-
-
114  
W
Static characteristics  
RDSon drain-source on-state VGS = 4.5 V; ID = 25 A; Tj = 25 °C  
-
-
-
-
29  
mΩ  
resistance  
VGS = 10 V; ID = 25 A; Tj = 25 °C  
20.9 24.6 mΩ  
22.1 26 mΩ  
VGS = 5 V; ID = 25 A; Tj = 25 °C;  
see Figure 13; see Figure 12  
Avalanche ruggedness  
EDS(AL)S non-repetitive  
drain-source  
ID = 49 A; Vsup ≤ 75 V;  
-
-
120 mJ  
R
GS = 50 Ω; VGS = 5 V;  
avalanche energy  
Tj(init) = 25 °C; unclamped  
 
 
 
 
 
1234567...14

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BUK9226-75A,118 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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