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BUK9506-40B,127

更新时间： 2024-11-25 14:48:11

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	191K
描述
N-channel TrenchMOS logic level FET TO-220 3-Pin

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BUK9506-40B,127 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220	包装说明：	PLASTIC, SC-46, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.2	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	494 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.0071 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	203 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	516 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK9506-40B,127 数据手册

BUK9506-40B

-220AB

N-channel TrenchMOS logic level FET

Rev. 02 — 25 January 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

AEC Q101 compliant

Suitable for logic level gate drive

sources

Low conduction losses due to low

on-state resistance

Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

1.3 Applications

12 V loads

General purpose power switching

Motors, lamps and solenoids

Automotive systems

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

V_DS

I_D

drain-source voltage

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

[1]

drain current

V_GS= 5 V; T_mb= 25 °C;

see Figure 1; see Figure 3

P_tot

total power dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

203

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C

4.1

5.7

mΩ

V_GS= 5 V; I_D= 25 A;

6.4

T_j= 25 °C; see Figure 11

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive drain-source I_D= 75 A; V_sup≤ 40 V;

494 mJ

avalanche energy

R_GS= 50 Ω; V_GS= 5 V;

T_j(init)= 25 °C; unclamped

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

V_GS= 5 V; I_D= 25 A;

V_DS= 32 V; T_j= 25 °C;

see Figure 13

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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BUK9506-40B	NXP	功能相似	TrenchMOS logic level FET

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