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BUK9508-55B

更新时间： 2024-10-01 14:48:11

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飞利浦 - PHILIPS		/
页数	文件大小	规格书
16页	112K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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BUK9508-55B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	203 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

BUK9508-55B 数据手册

BUK95/96/9E08-55B

TrenchMOS™ logic level FET

Rev. 02 — 13 October 2003

Product data

1. Product proﬁle

1.1 Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect power transistor in a plastic package using

Philips High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS™ technology.

1.2 Features

■ Very low on-state resistance

■ 175 °C rated

■ Q101 compliant

■ Logic level compatible.

1.3 Applications

■ Automotive systems

■ 12 V and 24 V loads

■ Motors, lamps and solenoids

■ General purpose power switching.

1.4 Quick reference data

■ E_DS(AL)S≤ 352 mJ

■ I_D≤ 75 A

■ R_DSon= 7.1 mΩ (typ)

■ P_tot≤ 203 W.

2. Pinning information

Table 1:

Pinning - SOT78, SOT404, and SOT226 simpliﬁed outlines and symbol

Description

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

[1]

drain (d)

source (s)

mounting base,

connected to

drain (d)

MBB076

MBK116

2 3

MBK112

MBK106

2 3

SOT404 (D²-PAK)

SOT226 (I²-PAK)

SOT78 (TO-220AB)

[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.

12 3 4 5 6 7...16

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