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BUK9506-55A,127 PDF预览

BUK9506-55A,127

更新时间： 2024-11-12 03:15:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
16页 320K
描述
BUK9506-55A - N-channel TrenchMOS FET TO-220 3-Pin

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BUK9506-55A,127 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：1100 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.0067 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：616 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

BUK9506-55A,127 数据手册

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BUK9506-55A; BUK9606-55A;  
BUK9E06-55A  
TrenchMOS™ logic level FET  
Rev. 03 — 23 July 2001  
Product data  
1. Description  
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using  
TrenchMOS™ technology, featuring very low on-state resistance.  
Product availability:  
BUK9506-55A in SOT78 (TO-220AB); BUK9606-55A in SOT404 (D2-PAK);  
BUK9E06-55A in SOT226 (I2-PAK).  
2. Features  
■ TrenchMOS™ technology  
■ Q101 compliant  
■ 175 °C rated  
■ Logic level compatible.  
3. Applications  
■ Automotive and general purpose power switching:  
◆ 12 V and 24 V loads  
c
c
◆ Motors, lamps and solenoids.  
4. Pinning information  
Table 1: Pinning - SOT78, SOT404, SOT226 simplified outline and symbol  
Pin  
1
Description  
gate (g)  
Simplified outline  
Symbol  
mb  
mb  
mb  
2
drain (d)  
d
s
3
source (s)  
mb  
mounting base,  
connected to  
drain (d)  
g
2
MBB076  
1
3
MBK116  
1
2 3  
MBK112  
MBK106  
1
2 3  
SOT226 (I2-PAK)  
SOT78 (TO-220AB) SOT404 (D2-PAK)  
1234567...16

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