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BUK9506-75B

更新时间： 2024-11-11 06:44:39

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恩智浦 - NXP		/
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15页	313K
描述
TrenchMOS logic level FET

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BUK9506-75B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	PLASTIC, SC-46, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.33	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	852 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.0066 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	612 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK9506-75B 数据手册

BUK95/9606-75B

TrenchMOS™ logic level FET

Rev. 02 — 30 September 2002

Product data

1. Product proﬁle

1.1 Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect power transistor in a plastic package using

Philips High-Performance Automotive TrenchMOS™ technology.

Product availability:

BUK9506-75B in SOT78 (TO-220AB)

BUK9606-75B in SOT404 (D²-PAK).

1.2 Features

■ Very low on-state resistance

■ 175 °C rated

■ Q101 compliant

■ Logic level compatible.

1.3 Applications

■ Automotive systems

■ 12 V, 24 V, and 42 V loads

■ Motors, lamps and solenoids

■ General purpose power switching.

1.4 Quick reference data

■ E_DS(AL)S≤ 852 mJ

■ I_D≤ 75 A

■ R_DSon= 5.2 mΩ (typ)

■ P_tot≤ 300 W.

2. Pinning information

Table 1:

Pinning - SOT78 and SOT404 simpliﬁed outlines and symbol

Description

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

[1]

drain (d)

source (s)

mounting base,

connected to

drain (d)

MBB076

MBK116

MBK106

2 3

SOT78 (TO-220AB)

SOT404 (D²-PAK)

[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.

12 3 4 5 6 7...15

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BUK9506-75B 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PSMN4R4-80PS	NEXPERIA	类似代替	N-channel 80 V, 4.1 mΩ standard level FETProd
PSMN012-80PS	NEXPERIA	类似代替	N-channel 80 V 11 mΩ standard level MOSFETPro
IRFZ44ZSPBF	INFINEON	功能相似	HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) =

与BUK9506-75B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK9506-75B,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-220 3-Pin
BUK9507-30B	NXP	获取价格	TrenchMOS logic level FET
BUK9508-55	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Logic level FET
BUK9508-55A	NXP	获取价格	TrenchMOS logic level FET
BUK9508-55A,127	NXP	获取价格	BUK9508-55A - N-channel TrenchMOS logic level FET TO-220 3-Pin
BUK9508-55B	PHILIPS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
BUK9508-55B,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-220 3-Pin
BUK9509-40B	NXP	获取价格	TRANSISTOR 75 A, 40 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3
BUK9509-40B,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-220 3-Pin
BUK9509-55A	NXP	获取价格	TrenchMOS logic level FET

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