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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BUK9535-55
BUK9535-55 PDF预览

BUK9535-55

更新时间： 2024-11-10 22:50:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 68K
描述
TrenchMOS transistor Logic level FET

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BUK9535-55 技术参数

Source Url Status Check Date：2013-06-14 00:00:00是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.67其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTION
雪崩能效等级（Eas）：45 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：34 A最大漏极电流 (ID)：34 A
最大漏源导通电阻：0.035 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：150 pFJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：85 W
最大功率耗散 (Abs)：85 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：136 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：145 ns
最大开启时间（吨）：131 nsBase Number Matches：1

BUK9535-55 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
TrenchMOS transistor  
Logic level FET  
BUK9535-55  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
N-channel enhancement mode logic  
level field-effect power transistor in a  
plastic envelope using ’trench’  
technology. The device features very  
low on-state resistance and has  
integral zener diodes giving ESD  
protection up to 2kV. It is intended for  
use in automotive and general  
purpose switching applications.  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX.  
UNIT  
VDS  
ID  
Ptot  
Tj  
Drain-source voltage  
Drain current (DC)  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Drain-source on-state  
55  
34  
85  
175  
35  
V
A
W
˚C  
mΩ  
RDS(ON)  
resistance  
VGS = 5 V  
PINNING - TO220AB  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
d
tab  
gate  
2
drain  
g
3
source  
tab drain  
s
1 2 3  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
VDGR  
±VGS  
ID  
ID  
IDM  
Drain-source voltage  
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
-
-
-
-
-
-
-
-
55  
55  
10  
34  
24  
136  
85  
175  
V
V
V
A
A
A
W
˚C  
RGS = 20 kΩ  
-
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 100 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
-
Drain current (DC)  
Drain current (pulse peak value)  
Total power dissipation  
Storage & operating temperature  
Ptot  
Tstg, Tj  
- 55  
ESD LIMITING VALUE  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VC  
Electrostatic discharge capacitor  
voltage, all pins  
Human body model  
(100 pF, 1.5 kΩ)  
-
2
kV  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
Rth j-mb  
Thermal resistance junction to  
mounting base  
-
-
1.75  
K/W  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to  
ambient  
in free air  
60  
-
K/W  
April 1998  
1
Rev 1.100  
12345678

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BUK9535-55 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BUK9506-55A,127 NXP

类似代替

 BUK9506-55A - N-channel TrenchMOS FET TO-220 3-Pin
PSMN004-60P,127 NXP

功能相似

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUK9535-55A NXP

获取价格

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BUK953R2-40B NXP

获取价格

 		TrenchMOS logic level FET
BUK953R2-40B,127 NXP

获取价格

 		N-channel TrenchMOS logic level FET TO-220 3-Pin
BUK953R2-40E NXP

获取价格

 		TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
BUK953R2-40E,127 NXP

获取价格

 		N-channel TrenchMOS logic level FET TO-220 3-Pin
BUK953R5-60E NXP

获取价格

 		120A, 60V, 0.0037ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN
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