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| Source Url Status Check Date： | 2013-06-14 00:00:00 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | PLASTIC, SC-46, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.81 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 182 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 37 A | 最大漏极电流 (ID)： | 39 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.043 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 138 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 159 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK954R2-55B | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS logic level FET |
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| BUK954R2-55B,127 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET TO-220 3-Pin |
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| BUK954R4-40B | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS logic level FET |
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| BUK954R4-80E | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power |
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| BUK954R8-60E | NXP |
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100A, 60V, 0.0049ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN |
|
| BUK954R8-60E,127 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET TO-220 3-Pin |
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| BUK9556-30 | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK9560-100A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS logic level FET |
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| BUK9560-100A,127 | NXP |
获取价格 |
BUK9560-100A |
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| BUK95608-55A | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 75 A, 55 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, |
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