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BUK9604-40A,118

更新时间： 2024-09-17 19:30:55

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	209K
描述
N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin

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BUK9604-40A,118 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	PLASTIC, SMD, D2PAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.19	雪崩能效等级（Eas）：	1600 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A
最大漏极电流 (ID)：	198 A	最大漏源导通电阻：	0.0059 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	794 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUK9604-40A,118 数据手册

BUK9604-40A

D2P

N-channel TrenchMOS logic level FET

Rev. 2 — 7 February 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

AEC Q101 compliant

Suitable for logic level gate drive

sources

Low conduction losses due to low

on-state resistance

Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

1.3 Applications

12 V loads

Motors, lamps and solenoids

Automotive and general purpose

power switching

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source

voltage

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

[1]

I_D

drain current

V_GS= 5 V; T_mb= 25 °C;

see Figure 1; see Figure 3

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

300

Static characteristics

R_DSondrain-source

V_GS= 4.3 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C

3.7

2.9

3.5

5.9

mΩ

on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C

V_GS= 5 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C; see Figure 11;

see Figure 12

4.4

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK9604-40A/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 75 A, 40 V, 0.0059 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gen
BUK9605-30A	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Logic level FET
BUK9605-30A/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 75 A, 30 V, 0.0054 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SMD, D2PAK-3, FE
BUK9606-30	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Logic level FET
BUK9606-40B	NXP	获取价格	TrenchMOS logic level FET
BUK9606-55A	NXP	获取价格	TrenchMOS logic level FET
BUK9606-55A	NEXPERIA	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FETProduction
BUK9606-55A,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin
BUK9606-55B	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS FET
BUK9606-55B,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin

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