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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 488 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V | 最大漏极电流 (ID)： | 120 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0044 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 715 A |
| 参考标准： | AEC-Q101; IEC-60134 | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK954R8-60E | NXP |
获取价格 |
100A, 60V, 0.0049ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN |
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| BUK954R8-60E,127 | NXP |
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N-channel TrenchMOS logic level FET TO-220 3-Pin |
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| BUK9556-30 | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK9560-100A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS logic level FET |
|
| BUK9560-100A,127 | NXP |
获取价格 |
BUK9560-100A |
|
| BUK95608-55A | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 75 A, 55 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, |
|
| BUK956R1-100E | NXP |
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120A, 100V, 0.0061ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN |
|
| BUK956R1-100E,127 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET TO-220 3-Pin |
|
| BUK9575-100A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS transistor Logic level FET |
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| BUK9575-55 | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS transistor Logic level FET |
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