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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | PLASTIC, SMD, D2PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.22 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 500 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 75 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0054 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK9606-30 | NXP |
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TrenchMOS transistor Logic level FET |
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| BUK9606-40B | NXP |
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TrenchMOS logic level FET |
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| BUK9606-55A | NXP |
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TrenchMOS logic level FET |
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| BUK9606-55A | NEXPERIA |
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N-channel TrenchMOS logic level FETProduction |
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| BUK9606-55A,118 | NXP |
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N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin |
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| BUK9606-55B | NXP |
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N-channel TrenchMOS FET |
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| BUK9606-55B,118 | NXP |
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N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin |
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| BUK9606-75B | NXP |
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TrenchMOS logic level FET |
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| BUK9606-75B | NEXPERIA |
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N-channel TrenchMOS logic level FETProduction |
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| BUK9606-75B,118 | NXP |
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N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin |
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