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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 101 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 107 A | 最大漏极电流 (ID)： | 42 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0039 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 73.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SUD45N05-20L | FREESCALE |
获取价格 |
N-Channel 50 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SUD45N05-20L | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 50-V (D-S), 175C MOSFET, Logic Level |
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| SUD45N05-20L-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SUD45P | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
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| SUD45P03-09 | FREESCALE |
获取价格 |
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
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| SUD45P03-09-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
MOSFET P-CH 30V 45A DPAK |
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| SUD45P03-10 | FREESCALE |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S), MOSFET |
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| SUD45P03-10 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V 150C MOSFET |
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| SUD45P03-10_08 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S), MOSFET |
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| SUD45P03-10-E3 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S), MOSFET |
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