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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 2.24 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 55 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 35 A | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.026 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 83 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SUD-40150CB00 | MITSUMI |
获取价格 |
Ultrasonic Sensor |
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| SUD40151EL | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SUD-40165CB00 | MITSUMI |
获取价格 |
Ultrasonic Sensor |
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| SUD40N02_08_E3 | FREESCALE |
获取价格 |
N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SUD40N02-08 | FREESCALE |
获取价格 |
N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SUD40N02-08 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 20-V (D-S), 175C MOSFET |
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| SUD40N02-08_09 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 20-V (D-S), 175C MOSFET |
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| SUD40N02-3M3P | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 20-V (D-S), 175 °C MOSFET |
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| SUD40N02-3M3P-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 20-V (D-S), 175 °C MOSFET |
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| SUD40N03-18P | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET |
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