SUD15P01-52

更新时间： 2024-11-23 08:58:15

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
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4页	45K
描述
P-Channel 8-V (D-S), 175 C MOSFET

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SUD15P01-52 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.62	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	21.4 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SUD15P01-52 数据手册

SUD15P01-52

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 8-V (D-S), 175_C MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D 175_C Junction Temperature

D Low Gate Threshold

APPLICATIONS

0.052 @ V = –4.5 V

–15

–8

0.070 @ V = –2.5

–13

0.105 @ V = –1.8

–10.5

D Pass Transistor for LDOs

TO-252

Drain Connected to Tab

Top View

Order Number:

SUD15P01-52

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

–8

–15

–8.7

–25

–10

= 25_C

Continuous Drain Current

(T = 175_C)

= 125_C

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

L = 0.1 mH

b, c

= 25_C

21.4

Power Dissipation

1.5

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

100

Junction-to-Ambient

thJA

thJC

Steady State

_C/W

Junction-to-Case

5.6

Notes:

a. Duty cycle v 1%.

b. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).

c. See SOA curve for voltage derating.

Document Number: 71806

S-20966—Rev. B, 01-Jul-02

www.vishay.com

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