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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.27 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 800 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8.2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8.2 A | 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 35 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STW8N90K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道900 V、0.60 Ohm典型值、8 A MDmesh K5功率MOSFET，TO |
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| STW8NA60 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STW8NA80 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
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| STW8NA80 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 800V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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| STW8NB100 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 1000V - 1.2ohm- 8A - TO-247 PowerMESH MOSFET |
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| STW8NB80 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 800V - 1.2ohm - 7.5A - TO-247 PowerMESH MOSFET |
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| STW8NB90 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 8 A TO-247/ISOWATT |
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| STW8NC70Z | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 700V - 1.1 ohm - 7A TO-247 Zener-Pr |
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| STW8NC80Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 700V - 1.1 ohm - 7A TO-247 Zener-Pr |
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| STW8NC90Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 7.6A TO-247 Zener- |
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