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STW8NA80

更新时间： 2024-01-08 08:52:41
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管
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6页 49K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

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STW8NA80 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247包装说明：TO-247, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.15其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：260 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：800 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.2 A
最大漏极电流 (ID)：7.2 A最大漏源导通电阻：1.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：175 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：28.8 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STW8NA80 数据手册

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STW8NA80  
STH8NA80FI  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOS TRANSISTORS  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
800 V  
800 V  
< 1.50 Ω  
< 1.50 Ω  
7.2 A  
4.5 A  
STW8NA80  
STH8NA80FI  
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 1.3 Ω  
± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE GHARGE MINIMIZED  
3
3
2
2
1
1
REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD  
TO-247  
ISOWATT218  
DESCRIPTION  
This series of POWER MOSFETS represents the  
most advanced high voltage technology. The op-  
timized cell layout coupled with a new proprietary  
edge termination concur to give the device low  
RDS(on) and gate charge, unequalled rug-  
gednessand superiorswitching performance.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
STW8NA80 STH8NA80FI  
Unit  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
800  
800  
V
V
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
± 30  
V
o
7.2  
4.5  
4.5  
2.8  
A
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
o
ID  
A
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
I
DM(• )  
28.8  
175  
1.4  
28.8  
70  
A
Drain Current (pulsed)  
o
Ptot  
W
W/oC  
V
oC  
oC  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
0.56  
4000  
Derating Factor  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/6  
October 1998  
123456

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STW8NA80 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BUK438-800A NXP

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