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STW9NA60

更新时间： 2024-01-12 02:05:22
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 127K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

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STW9NA60 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247AC
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.32
雪崩能效等级（Eas）：450 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.4 A最大漏极电流 (ID)：6.4 A
最大漏源导通电阻：0.8 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：70 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：38 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STW9NA60 数据手册

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STW9NA60  
STH9NA60FI  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
FAST POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STW9NA60  
STH9NA60FI  
600 V  
600 V  
< 0.8 Ω  
< 0.8 Ω  
9.5 A  
6.4 A  
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.69 Ω  
± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
3
2
2
1
1
REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD  
TO-247  
ISOWATT218  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
STH9NA60FI  
Unit  
STW9NA60  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
600  
600  
V
V
30  
V
±
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
6.4  
4
9.5  
6
A
ID  
A
I
DM(• )  
38  
38  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
70  
160  
1.28  
4000  
W
W/oC  
Derating Factor  
0.56  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
V
-65 to 150  
150  
oC  
oC  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/10  
October 1998  
1234567...10

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与STW9NA60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STW9NA80 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR
STW9NA80 NJSEMI

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 		Trans MOSFET N-CH 800V 9.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247
STW9NB80 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET
STW9NB90 STMICROELECTRONICS

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STW9NC70Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 700V - 0.90 ohm - 7.5A TO-247 Zener
STW9NC80Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 700V - 1ohm - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/
STW9NK70Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 700V - 1ohm - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/
STW9NK90Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 900V - 1.1W - 8A TO-220/TO-220FP/TO
STW9Q14B SEOUL

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 		Lead Frame type LED PKG size:5.6*3.0 thickness 0.9mm

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