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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STW9NC80Z
STW9NC80Z PDF预览

STW9NC80Z

更新时间： 2024-11-28 22:14:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 250K
描述
N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 9.4A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET

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STW9NC80Z 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247包装说明：TO-247, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.69
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：350 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.3 A最大漏极电流 (ID)：9.4 A
最大漏源导通电阻：0.9 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：190 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：38 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STW9NC80Z 数据手册

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STW9NC80Z  
N-CHANNEL 800V - 0.82Ω - 9.4A TO-247  
Zener-Protected PowerMESH™III MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STW9NC80Z  
800 V  
<0.9Ω  
9.4 A  
TYPICAL R (on) = 0.82Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
GATE-TO-SOURCE ZENER DIODES  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
TO-247  
DESCRIPTION  
The third generation of MESH OVERLAY™ Power  
MOSFETs for very high voltage exhibits unsur-  
passed on-resistance per unit area while integrating  
back-to-back Zener diodes between gate and  
source. Such arrangement gives extra ESD capabil-  
ity with higher ruggedness performance as request-  
ed by a large variety of single-switch applications.  
APPLICATIONS  
SINGLE-ENDED SMPS IN MONITORS,  
COMPUTER AND INDUSTRIAL APPLICATION  
WELDING EQUIPMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
800  
800  
±25  
9.4  
5.9  
38  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
GS  
DS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
V
GS  
I
D
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
A
D
C
I
(1)  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
190  
1.52  
±50  
4
W
TOT  
C
Derating Factor  
W/°C  
mA  
KV  
V/ns  
V
I
Gate-source Current  
GS  
V
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=15KΩ)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Winthstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
ESD(G-S)  
dv/dt(  
●
)
3
V
--  
ISO  
T
–65 to 150  
150  
°C  
°C  
stg  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(1)I ≤9.4A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX  
SD  
DD  
(BR)DSS  
(•)Pulse width limited by safe operating area  
September 2002  
1/8  
12345678

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