STW9NC80Z

更新时间： 2024-01-27 14:50:38

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管开关脉冲局域网
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N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 9.4A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET

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STW9NC80Z 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	TO-247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	350 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9.3 A	最大漏极电流 (ID)：	9.4 A
最大漏源导通电阻：	0.9 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	190 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	38 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STW9NC80Z 数据手册

STW9NC80Z

N-CHANNEL 800V - 0.82Ω - 9.4A TO-247

Zener-Protected PowerMESH™III MOSFET

TYPE

DSS

DS(on)

STW9NC80Z

800 V

<0.9Ω

9.4 A

TYPICAL R (on) = 0.82Ω

EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

GATE-TO-SOURCE ZENER DIODES

100% AVALANCHE TESTED

VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES

GATE CHARGE MINIMIZED

TO-247

DESCRIPTION

The third generation of MESH OVERLAY™ Power

MOSFETs for very high voltage exhibits unsur-

passed on-resistance per unit area while integrating

back-to-back Zener diodes between gate and

source. Such arrangement gives extra ESD capabil-

ity with higher ruggedness performance as request-

ed by a large variety of single-switch applications.

APPLICATIONS

SINGLE-ENDED SMPS IN MONITORS,

COMPUTER AND INDUSTRIAL APPLICATION

WELDING EQUIPMENT

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

800

±25

9.4

5.9

Unit

Drain-source Voltage (V = 0)

Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)

DGR

Gate- source Voltage

Drain Current (continuous) at T = 25°C

Drain Current (continuous) at T = 100°C

(1)

Drain Current (pulsed)

Total Dissipation at T = 25°C

190

1.52

±50

TOT

Derating Factor

W/°C

V/ns

Gate-source Current

Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=15KΩ)

Peak Diode Recovery voltage slope

Insulation Winthstand Voltage (DC)

Storage Temperature

ESD(G-S)

dv/dt(

●

)

ISO

–65 to 150

150

°C

stg

Max. Operating Junction Temperature

(1)I ≤9.4A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V

, T ≤ T

j JMAX

(BR)DSS

(•)Pulse width limited by safe operating area

September 2002

1/8

12 3 4 5 6 7 8

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