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STW8NC90Z

更新时间： 2024-11-26 22:14:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
8页 254K
描述
N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 7.6A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET

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STW8NC90Z  
N-CHANNEL 900V - 1.1 Ω - 7.6A TO-247  
Zener-Protected PowerMESH™III MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STW8NC90Z  
900 V  
< 1.38 Ω  
7.6 A  
■
■
TYPICAL R (on) = 1.1 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY GATE-  
TO-SOURCE ZENER DIODES  
■
■
■
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
TO-247  
DESCRIPTION  
The third generation of MESH OVERLAY™ Power  
MOSFETs for very high voltage exhibits unsur-  
passed on-resistance per unit area while integrating  
back-to-back Zener diodes between gate and  
source. Such arrangement gives extra ESD capabil-  
ity with higher ruggedness performance as request-  
ed by a large variety of single-switch applications.  
APPLICATIONS  
■
SINGLE-ENDED SMPS IN MONITORS,  
COMPUTER AND INDUSTRIAL APPLICATION  
WELDING EQUIPMENT  
■
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
900  
900  
±25  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
7.6  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
4.8  
A
D
C
I
(●)  
Drain Current (pulsed)  
30  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
190  
1.51  
±50  
W
TOT  
C
Derating Factor  
W/°C  
mA  
KV  
V/ns  
°C  
°C  
I
Gate-source Current (*)  
GS  
V
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=15KΩ)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
4
ESD(G-S)  
dv/dt (1)  
3
T
–65 to 150  
150  
stg  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I ≤7.6A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX.  
SD  
DD  
(BR)DSS  
(*)Limited only by maximum temperature allowed  
July 2000  
1/8  
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