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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STW90NF20
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STW90NF20

更新时间： 2024-11-29 06:14:55
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体栅极晶体管功率场效应晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
12页 816K
描述
N-channel 200 V, 0.019 Ω, 83 A, TO-247 low gate charge STripFET™ Power MOSFET

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STW90NF20 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247AD包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.68
Is Samacsys：N配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：83 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：300 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

STW90NF20 数据手册

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STW90NF20  
N-channel 200 V, 0.019 Ω, 83 A, TO-247  
low gate charge STripFET™ Power MOSFET  
Features  
RDS(on)  
max  
Type  
VDSS  
ID  
STW90NF20  
200 V  
< 0.023 Ω  
83 A  
■ Exceptional dv/dt capability  
■ Low gate charge  
3
2
1
■ 100% Avalanche tested  
TO-247  
Application  
■ Switching applications  
Description  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
This Power MOSFET series realized with  
STMicroelectronics unique STripFET™ process  
has specifically been designed to minimize input  
capacitance and gate charge. It is therefore  
suitable as primary switch in advanced high-  
efficiency isolated DC-DC converters  
Table 1.  
Device summary  
Order code  
STW90NF20  
Marking  
Package  
TO-247  
Packaging  
90NF20  
Tube  
August 2008  
Rev 2  
1/12  
www.st.com  
12  
1234567...12

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STW90NF20 替代型号

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