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STW8NA60 PDF预览

STW8NA60

更新时间： 2024-02-13 14:14:45
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 128K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

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STW8NA60 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.66
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：480 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STW8NA60 数据手册

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STW8NA60  
STH8NA60FI  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
FAST POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STW8NA60  
STH8NA60FI  
600 V  
600 V  
< 1 Ω  
< 1 Ω  
8 A  
5 A  
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.92 Ω  
± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
3
2
2
1
1
REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD  
TO-247  
ISOWATT218  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
STW8NA60 STH8NA60FI  
Unit  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
600  
600  
V
V
V
A
A
A
W
30  
±
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
8
5
3.2  
ID  
5.1  
32  
I
DM(• )  
32  
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
150  
1.2  
60  
Derating Factor  
0.48  
4000  
W/oC  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
V
oC  
oC  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/10  
October 1998  
1234567...10

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与STW8NA60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STW8NA80 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STW8NA80 NJSEMI

获取价格

 		Trans MOSFET N-CH 800V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
STW8NB100 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 1000V - 1.2ohm- 8A - TO-247 PowerMESH MOSFET
STW8NB80 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 800V - 1.2ohm - 7.5A - TO-247 PowerMESH MOSFET
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 		N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 8 A TO-247/ISOWATT
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 		N-CHANNEL 700V - 1.1 ohm - 7A TO-247 Zener-Pr
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STW8NK80Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 800V - 1.3ohm - 6.2A TO-220/TO-220F
STW8Q14BE SEOUL

获取价格

 		Lead Frame type LED PKG size: 5.6*3.0 thickness 0.9mm

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