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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-247AC | 包装说明： | TO-247, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 400 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 300 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 54 A | 最大漏极电流 (ID)： | 54 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247AC | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| STW54NM65N | STMICROELECTRONICS | N-channel 650 V, 0.054 OHM, 50 A MDmesh II Power MOSFET |
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| STW54NM65ND | STMICROELECTRONICS | N-channel 650 V, 0.055 Ω, 49 A TO-247 FDmesh |
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| STW55N10 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-247 |
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| STW55NE10 | STMICROELECTRONICS | N - CHANNEL 100V - 0.021ohm - 55A - TO247 STripFET POWER MOSFET |
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| STW55NM50N | STMICROELECTRONICS | N-channel 500 V, 0.040 Ω, 54 A, MDmesh? II Po |
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| STW55NM60N | STMICROELECTRONICS | 51A, 600V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC, ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN |
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