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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STW54NK30Z
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STW54NK30Z

更新时间： 2024-02-14 14:16:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 271K
描述
N-CHANNEL 300V - 0.052з - 54A TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET

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STW54NK30Z 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247AC包装说明：TO-247, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：400 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：54 A最大漏极电流 (ID)：54 A
最大漏源导通电阻：0.06 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：300 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STW54NK30Z 数据手册

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STW54NK30Z  
Table 3: Absolute Maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Value  
300  
300  
± 30  
54  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
GS  
V
DGR  
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
V
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
D
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
C
I
D
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
34  
A
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
200  
300  
2.38  
6000  
4.5  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
TOT  
C
Derating Factor  
W/°C  
V
V
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=1.5KΩ)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
ESD(G-S)  
dv/dt (1)  
V/ns  
T
T
stg  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
j
-55 to 150  
°C  
( ) Pulse width limited by safe operating area  
(1) I ≤54A, di/dt ≤200A/µs, V ≤ V , T ≤ T  
JMAX.  
SD  
DD  
(BR)DSS  
j
(*) Limited only by maximum temperature allowed  
Table 4: Thermal Data  
Rthj-case  
Thermal Resistance Junction-case Max  
0.42  
°C/W  
Rthj-amb  
Thermal Resistance Junction-ambient Max  
Maximum Lead Temperature For Soldering  
Purpose  
30  
300  
°C/W  
°C  
T
l
Table 5: Avalanche Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Max Value  
Unit  
I
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive  
54  
A
AR  
(pulse width limited by T max)  
j
E
Single Pulse Avalanche Energy  
400  
mJ  
AS  
(starting T = 25 °C, I = I , V = 50 V)  
j
D
AR  
DD  
Table 6: Gate-Source Zener Diode  
Symbol  
BV  
Parameter  
Gate-Source  
Breakdown Voltage  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Igs=± 1mA (Open Drain)  
30  
V
GSO  
PROTECTION FEATURES OF GATE-TO-SOURCE ZENER DIODES  
The built-in back-to-back Zener diodes have specifically been designed to enhance not only the device’s  
ESD capability, but also to make them safely absorb possible voltage transients that may occasionally be  
applied from gate to source. In this respect the Zener voltage is appropriate to achieve an efficient and  
cost-effective intervention to protect the device’s integrity. These integrated Zener diodes thus avoid the  
usage of external components.  
2/10  
1234567...10

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