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STW55NE10

更新时间： 2024-01-27 16:40:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 88K
描述
N - CHANNEL 100V - 0.021ohm - 55A - TO247 STripFET POWER MOSFET

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STW55NE10 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247包装说明：TO-247, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：350 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：55 A最大漏极电流 (ID)：55 A
最大漏源导通电阻：0.027 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：200 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：220 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STW55NE10 数据手册

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STW55NE10  
N - CHANNEL 100V - 0.021Ω - 55A - TO247  
STripFET POWER MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STW55NE10  
100 V  
<0.027 Ω  
55 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.021 Ω  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW GATE CHARGE AT 100 oC  
APPLICATIONORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
2
1
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest developmentof  
STMicroelectronics unique ”Single Feature  
Size ” strip-based process. The resulting transi-  
stor shows extremely high packing density for low  
on-resistance, rugged avalanche characteristics  
and less critical alignment steps therefore a re-  
markable manufacturingreproducibility.  
TO-247  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
100  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
V
V
100  
± 20  
55  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
A
ID  
35  
A
I
DM(• )  
220  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
180  
W
Derating Factor  
1.2  
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt (1) Peak Diode Recovery voltage slope  
9
Tstg  
Storage Temperature  
-65 to 175  
Tj  
Max. Operating Junction Temperature  
175  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
( ) ISD ≤ 55 A, di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1
1/8  
January 1999  
12345678

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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