STW55NE10

更新时间： 2024-02-27 15:01:28

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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N - CHANNEL 100V - 0.021ohm - 55A - TO247 STripFET POWER MOSFET

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STW55NE10 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	TO-247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	350 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	55 A	最大漏极电流 (ID)：	55 A
最大漏源导通电阻：	0.027 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	220 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STW55NE10 数据手册

STW55NE10

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(continued)

SWITCHING ON

Symbol

Parameter

Turn-on Time

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

t_d(on)

t_r

V_DD= 50 V

_G=4.7

I_D= 25 A

V_GS= 10 V

100

135

Rise Time

Ω

(see test circuit, figure 3)

Q_g

Q_gs

Q_gd

Total Gate Charge

Gate-Source Charge

Gate-Drain Charge

V_DD= 80 V I_D= 50 A V_GS= 10 V

123

165

SWITCHING OFF

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

t_r(Voff)

t_f

t_c

Off-voltage Rise Time

Fall Time

Cross-over Time

V_DD= 80 V I_D= 55 A

R_G=4.7 Ω V_GS= 10 V

(see test circuit, figure 5)

SOURCE DRAIN DIODE

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

I_SD

I_SDM(• )

Source-drain Current

(pulsed)

220

V_SD( ) Forward On Voltage

I_SD= 55 A V_GS= 0

1.5

t_rr

Reverse Recovery

Time

Reverse Recovery

Charge

Reverse Recovery

Current

I_SD= 55 A

V_DD= 30 V

(see test circuit, figure 5)

di/dt = 100 A/ s

T_j= 150 C

155

815

10.5

210

Q_rr

1100

I_RRM

( ) Pulsed: Pulse duration = 300 s, duty cycle 1.5 %

(•) Pulse width limited by safe operating area

Safe Operating Area

Thermal Impedance

3/8

1 234 5 6 7 8

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