STW54NM65N

更新时间： 2024-02-29 20:48:33

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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12页	496K
描述
N-channel 650 V, 0.054 OHM, 50 A MDmesh II Power MOSFET

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STW54NM65N 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1600 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	650 V
最大漏极电流 (ID)：	50 A	最大漏源导通电阻：	0.065 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STW54NM65N 数据手册

STW54NM65N

N-channel 650 V, 0.054 Ω, 50 A MDmesh™ II Power MOSFET

TO-247

Features

V_DSS

(@Tjmax)

R_DS(on)

max

Type

I_D

STW54NM65N

710 V

< 0.065 Ω

50 A

■ 100% avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

TO-247

Application

■ Switching applications

Description

Figure 1.

Internal schematic diagram

This series of devices is designed using the

second generation of MDmesh™ technology. This

revolutionary Power MOSFET associates a new

vertical structure to the STMicroelectronics’ strip

layout to yield one of the world’s lowest on-

resistance and gate charge. It is therefore suitable

for the most demanding high efficiency

converters.

Table 1.

Order code

STW54NM65N

Device summary

Marking

Package

TO-247

Packaging

54NM65N

Tube

January 2009

Rev 2

1/12

www.st.com

12 3 4 5 6 7...12

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