STW54NM65N

更新时间： 2024-01-09 07:39:18

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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12页	496K
描述
N-channel 650 V, 0.054 OHM, 50 A MDmesh II Power MOSFET

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STW54NM65N 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1600 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	650 V
最大漏极电流 (ID)：	50 A	最大漏源导通电阻：	0.065 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STW54NM65N 数据手册

Electrical characteristics

STW54NM65N

Electrical characteristics

= 25 °C unless otherwise specified)

CASE

Table 5.

Symbol

On/off states

Parameter

Test conditions

I_D= 1mA, V_GS= 0

Min. Typ. Max. Unit

Drain-source

V_(BR)DSS

650

breakdown voltage

V_DD= 520 V, I_D= 50 A,

V_GS=10 V

dv/dt ⁽¹⁾Drain source voltage slope

V/ns

Zero gate voltage

I_DSS

_DS= Max rating

µA

drain current (V_GS= 0)

V_DS= Max rating, @125 °C

100

Gate-body leakage

I_GSS

V_GS

20 V

100

current (V_DS= 0)

V_GS(th)Gate threshold voltage

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

V_GS= 10 V, I_D= 25 A

Static drain-source on

resistance

R_DS(on)

0.054 0.065

Ω

1. Characteristic value at turn off on inductive load

Table 6.

Symbol

Dynamic

Parameter

Test conditions

Min. Typ. Max. Unit

(1)

g_fs

Forward transconductance V_DS=15 V I_D= 25 A

Input capacitance

C_iss

C_oss

C_rss

6000

320

V_DS= 50 V, f = 1 MHz,

V_GS= 0

Output capacitance

Reverse transfer

capacitance

Equivalent output

capacitance

(2)

C_{oss eq.}

V_GS= 0, V_DS= 0 to 520 V

690

Q_g

Q_gs

Q_gd

Total gate charge

Gate-source charge

Gate-drain charge

V_DD= 520 V, I_D= 50 A,

_GS= 10 V,

200

(see Figure 15)

110

f=1 MHz gate DC bias=0

Test signal level = 20 mV

open drain

R_g

Gate input resistance

1.9

Ω

1. Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5%

2. C_{oss eq.}is defined as a constant equivalent capacitance giving the same charging time as C_osswhen V_DS

increases from 0 to 80% V_DS

4/12

1 2 345 6 7...12

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