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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STW16NA60
STW16NA60 PDF预览

STW16NA60

更新时间： 2024-11-23 22:20:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
5页 78K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

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STW16NA60 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.2
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：1000 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A
最大漏极电流 (ID)：16 A最大漏源导通电阻：0.4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：250 W
最大功率耗散 (Abs)：250 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：64 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大开启时间（吨）：55 ns
Base Number Matches：1

STW16NA60 数据手册

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STW16NA60  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
FAST POWER MOS TRANSISTOR  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
< 0.4 Ω  
ID  
STW16NA60  
600 V  
16 A  
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.33 Ω  
± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE  
RANTING  
■
■
■
■
■
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW INTRINSIC CAPACITANCE  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
2
1
REDUCED VOLTAGE SPREAD  
TO-247  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)  
CONSUMER AND INDUSTRIAL LIGHTING  
DC-AC CONVERTER FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTABLE  
POWER SUPPLY (UPS)  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
Parameter  
Value  
600  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
V
V
VDGR  
VGS  
600  
± 30  
16  
V
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
10  
A
IDM(•)  
Ptot  
Drain Current (pulsed)  
64  
A
o
Total Dissipation at Tc = 25 C  
250  
W
Derating Factor  
2
W/oC  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/5  
January 1998  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation.Details are subject to change without notice.  
12345

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STW16NA60 替代型号

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