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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3355-AZ | RENESAS |
功能相似  |
Nch Single Power Mosfet 60V 83A 5.8Mohm Mp-25/To-220Ab, MP-25, /Bag |
|
| IRFPC60PBF | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET |
|
| STW16NA60 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FS4KM-12A | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH-SPEED SWITCHING USE(10V DRIVE,VDSS-600V, |
|
| FS4R12K4 | ETC |
获取价格 |
IGBT Module |
|
| FS4UM12 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
|
| FS4UM-12 | POWEREX |
获取价格 |
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| FS4UM-12 | RENESAS |
获取价格 |
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET |
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| FS4VS12 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-263AB |
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| FS4VS-12 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FS4VS-12 | POWEREX |
获取价格 |
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FS4VS-12 | RENESAS |
获取价格 |
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET |
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| FS4VS-12-T1 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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