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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220FN |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.46 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4 A | 最大漏源导通电阻： | 2.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FS4R12K4 | ETC |
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IGBT Module |
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| FS4UM12 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
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| FS4UM-12 | POWEREX |
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Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FS4UM-12 | RENESAS |
获取价格 |
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET |
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| FS4VS12 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-263AB |
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| FS4VS-12 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FS4VS-12 | POWEREX |
获取价格 |
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| FS4VS-12 | RENESAS |
获取价格 |
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET |
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| FS4VS-12-T1 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| FS4VS-12-T2 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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