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STW18N60DM2

更新时间： 2024-11-25 14:57:51

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
页数	文件大小	规格书
12页	235K
描述
N沟道600 V、0.260 Ohm典型值、12 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-247封装

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STW18N60DM2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	17 weeks
风险等级：	2.3	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

STW18N60DM2 数据手册

STW18N60DM2

Datasheet

N-channel 600 V, 0.260 Ω typ., 12 A MDmesh DM2

Power MOSFET in a TO-247 package

Features

max.

Order code

STW18N60DM2

DS(on)

600 V

0.295 Ω

12 A

•

Fast-recovery body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Low on-resistance

100% avalanche tested

TO-247

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

D(2, TAB)

Applications

G(1)

•

Switching applications

Description

S(3)

This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM2 fast-

recovery diode series. It offers very low recovery charge (Q_rr) and time (t_rr) combined

with low R_DS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency

converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

AM01476v1_tab

Product status link

STW18N60DM2

Product summary

Order code

Marking

STW18N60DM2

18N60DM2

TO-247

Package

Packing

Tube

DS10964 - Rev 6 - October 2020

For further information contact your local STMicroelectronics sales office.

www.st.com

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