品牌 | Logo | 应用领域 |
意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
19页 | 949K | |
描述 | ||
N沟道650 V、0.198 Ohm典型值、15 A MDmesh M5功率MOSFET,TO-247封装 |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 17 weeks |
风险等级: | 1.67 | 雪崩能效等级(Eas): | 210 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 650 V | 最大漏极电流 (ID): | 15 A |
最大漏源导通电阻: | 0.22 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-247 | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 110 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 60 A |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STW18NB40 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 400V - 0.19ohm - 18.4A TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET | |
STW18NB40FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 400V - 0.19ohm - 18.4A TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET | |
STW18NK60Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 0.27з - 16A TO-247 Zener-Pro | |
STW18NK80Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 800V - 0.34W - 19A TO-247 Zener-Pro | |
STW18NK80Z_06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 800V - 0.34ヘ - 19A - TO-247 Zener-p | |
STW18NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 13 A, TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK second generation MDmesh™ Pow | |
STW18NM80 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 800 V, 0.25 Ω, 17 A, MDmes Power M | |
STW19NM50N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 500 V, 0.2 ohm, 14 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, TO-220 and TO-247 | |
STW19NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
汽车级N沟道600 V、0.26 Ohm、13 A MDmesh(TM) II功率MOSF | |
STW19NM65N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP |