5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > STGP18N40LZ
STGP18N40LZ PDF预览

STGP18N40LZ

更新时间： 2024-01-02 18:23:10
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
19页 893K
描述
EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT

阅读下载

中文翻译

获取价格

STGP18N40LZ 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
其他特性：VOLTAGE CLAMPING外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：30 A集电极-发射极最大电压：420 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR门极发射器阈值电压最大值：2.3 V
门极-发射极最大电压：16 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AUTOMOTIVE IGNITION晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：22200 ns标称接通时间 (ton)：4450 ns
Base Number Matches：1

STGP18N40LZ 数据手册

 浏览型号STGP18N40LZ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STGP18N40LZ的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STGP18N40LZ的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STGP18N40LZ的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STGP18N40LZ的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STGP18N40LZ的Datasheet PDF文件第7页 
STGB18N40LZ  
STGD18N40LZ, STGP18N40LZ  
EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT  
Features  
■ AEC Q101 compliant  
3
3
2
■ 180 mJ of avalanche energy @ T = 150 °C,  
C
1
1
L = 3 mH  
DPAK  
IPAK  
■ ESD gate-emitter protection  
■ Gate-collector high voltage clamping  
■ Logic level gate drive  
3
2
1
■ Low saturation voltage  
TO-220  
3
1
3
■ High pulsed current capability  
■ Gate and gate-emitter resistor  
2
1
D²PAK  
I²PAK  
Application  
■ Pencil coil electronic ignition driver  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
C (2 or TAB)  
Description  
This application-specific IGBT utilizes the most  
advanced PowerMESH™ technology. The built-in  
Zener diodes between gate-collector and gate-  
emitter provide overvoltage protection  
capabilities. The device also exhibits low on-state  
voltage drop and low threshold drive for use in  
automotive ignition system.  
R
G
G (1)  
R
GE  
E (3)  
SC30180  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
Packaging  
STGB18N40LZ-1  
STGB18N40LZT4  
STGD18N40LZ-1  
STGD18N40LZT4  
STGP18N40LZ  
GB18N40LZ  
GB18N40LZ  
GD18N40LZ  
GD18N40LZ  
GP18N40LZ  
I²PAK  
D²PAK  
IPAK  
Tube  
Tape and reel  
Tube  
DPAK  
TO-220  
Tape and reel  
Tube  
May 2009  
Doc ID 14322 Rev 5  
1/19  
www.st.com  
19  
1234567...19

中文翻译

下载PDF

与STGP18N40LZ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STGP19NC60H STMICROELECTRONICS

获取价格

 		19 A - 600 V - very fast IGBT
STGP19NC60HD STMICROELECTRONICS

获取价格

 		19 A - 600 V - very fast IGBT
STGP19NC60K STMICROELECTRONICS

获取价格

 		20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
STGP19NC60KD STMICROELECTRONICS

获取价格

 		20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
STGP19NC60S STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600V - 20A - TO-220 Medium frequency PowerMESH IGBT
STGP19NC60W STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600V - 19A - TO-220 Ultra fast PowerMESH IGBT
STGP19NC60WD STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600V - 19A - TO-220 - TO-247 Ultra
STGP20H60DF STMICROELECTRONICS

获取价格

 		600 V、20 A高速沟槽栅场截止IGBT
STGP20H65DFB2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 package
STGP20H65FB2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 package

与STGP18N40LZ相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证