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STGP30NC60S

更新时间： 2024-11-20 20:09:07

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		局域网栅双极性晶体管功率控制
页数	文件大小	规格书
15页	492K
描述
55A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN

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STGP30NC60S 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.79	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	55 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	5.75 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	175 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	555 ns	标称接通时间 (ton)：	30 ns
Base Number Matches：	1

STGP30NC60S 数据手册

STGF30NC60S

STGP30NC60S, STGWF30NC60S

30 A, 600 V, fast IGBT

Features

TAB

■ Optimized performance for medium operating

frequencies up to 5 kHz in hard switching

■ Low on-voltage drop (V

■ High current capability

)

CE(sat)

TO-220FP

TO-220

Application

Motor drive

TO-3PF

Description

This device utilizes the advanced PowerMESH™

process resulting in an excellent trade-off

between switching performance and low on-state

behavior.

Figure 1.

Internal schematic diagram

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

Packaging

STGF30NC60S

STGP30NC60S

STGWF30NC60S

GF30NC60S

GP30NC60S

GWF30NC60S

TO-220FP

TO-220

Tube

TO-3PF

November 2010

Doc ID 13696 Rev 5

1/15

www.st.com

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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