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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极发射器阈值电压最大值： | 5.75 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STGP4M65DF2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
650 V、4 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT |
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| STGP5H60DF | STMICROELECTRONICS |
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600 V、5 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT |
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| STGP5NC60KD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
20A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
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| STGP6M65DF2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、6 A，低损耗 |
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| STGP6NC60HD | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600V - 7A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Very fast PowerMESH TM IGBT |
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| STGP6NC60KD | STMICROELECTRONICS |
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15A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
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| STGP7H60DF | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
600 V、7 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT |
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| STGP7NB120SD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 7A - 1200V - TO-220 PowerMESH⑩ IGBT |
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| STGP7NB60 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT |
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| STGP7NB60F | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 7A - 600V - T0-220 / DPAK PowerMESH IGBT |
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