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STGP3NB60S

更新时间： 2024-11-19 22:42:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
10页 413K
描述
N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220 / DPAK PowerMESH⑩ IGBT

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STGP3NB60S 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.83Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：6 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE门极发射器阈值电压最大值：5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：65 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：4800 ns标称接通时间 (ton)：710 ns
Base Number Matches：1

STGP3NB60S 数据手册

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STGP3NB60S  
STGD3NB60S  
N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220 / DPAK  
PowerMESH™ IGBT  
TYPE  
V
CES  
V
I
C
CE(sat)  
STGP3NB60S  
STGD3NB60S  
600 V  
600 V  
< 1.5 V  
< 1.5 V  
3 A  
3 A  
■
■
■
■
HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE DRIVEN)  
VERY LOW ON-VOLTAGE DROP (V  
OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT  
ADD SUFFIX “T4” FOR ORDERING IN TAPE &  
REEL (SMD VERSION)  
3
)
cesat  
1
3
2
1
DPAK  
TO-220  
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage technology based on a  
patented strip layout, STMicroelectronics has  
designed an advanced family of IGBTs, the  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
™
PowerMESH IGBTs, with outstanding  
performances. The suffix “S” identifies a family  
optimized achieve minimum on-voltage drop for low  
frequency applications (<1kHz).  
APPLICATIONS  
■
■
■
MOTOR CONTROL  
LIGHT DIMMER  
STATIC RELAYS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STGP3NB60S  
STGD3NB60S  
V
Collector-Emitter Voltage (V = 0)  
600  
20  
±20  
6
V
V
CES  
GS  
V
ECR  
Reverse Battery Protection  
Gate-Emitter Voltage  
V
V
GE  
I
Collector Current (continuous) at T = 25°C  
A
C
C
I
Collector Current (continuous) at T = 100°C  
3
A
C
C
I
( )  
Collector Current (pulsed)  
24  
A
CM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
65  
45  
W
C
Derating Factor  
0.32  
W/°C  
°C  
°C  
T
stg  
Storage Temperature  
–65 to 150  
150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(● ) Pulse width limited by safe operating area  
August 2002  
1/10  
1234567...10

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与STGP3NB60S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STGP3NC60HD STMICROELECTRONICS

获取价格

 		10A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
STGP4M65DF2 STMICROELECTRONICS

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